- パワー半導体･光通信デバイス実装を可能としたソルダーダイボンダ
- 温度（最大400℃）条件での高精度搭載を実現
- はんだ酸化を防ぐ酸素濃度制御下での接合（酸素濃度500ppm以下）
- プロセスゾーン（pre/main/after）ごとの温度制御に対応
- 様々な形状（ペースト/リボン）のはんだ供給が可能
特徴
基本仕様
| 基板供給 | 搬送キャリアまたはダイレクト搬送 |
|---|---|
| はんだ供給 | プリフォームはんだ（リボンはんだ） |
| チップ供給 | チップトレイ（段積み） |
| 加圧荷重 | はんだ搭載ヘッド：1[N] |
| チップ搭載ヘッド | 設定温度 最大400[℃]（コンスタントヒート方式） |
| 基板供給 | 基板搬送キャリアまたはダイレクト搬送 |
| タクトタイム | 5[sec/個] |
| ローダ、アンローダ | マガジン供給･収納 |
| 搭載精度 | ±50μm |
| 外形寸法（W×D×H） | 3,700×1,350×1,650[mm] |
| 重量 | 約3,500kg |
