- 極低荷重対応、高精度ボンディング
- 低荷重域でのリアルタイム制御が可能、それにより、バンプ高さバラツキ最小化を実現
- ツール交換で超音波接合にも対応
- 対応プロセス：ACF、ACP、NCF、NCP、Au-Sn（共晶）、Au – Au（超音波）、はんだバンプ
- 各種機能&オプション
- 標準機能
- チップ反転ユニット
- コンスタントヒートステージ
- ATC（自動セラミックツール交換）
- キャリブレーション
- プロセス管理（ロガー/別PCに書き出し）
- 自動平坦機構
- ID読み込み
- オプション機能
- 共晶用ヘッド（加熱なし）
- 共晶用パージ治具
- 共晶用ステージ（□52mmパルスヒータ）
- 転写機能（Flux、ペースト等）
- ディスペンサユニット（ディスペンサは除く）
- ダイボンダ機能
- チップ撮像カメラ
- ゲルパック
- 超音波接合
特徴
基本仕様
| 基板サイズ（W×L） | 200×200[mm]panel or ８[inch]wafer |
|---|---|
| チップサイズ | 0.3×0.3 ~ 30×30[mm] |
| 荷重設定範囲 | 低荷重域：0.049 ~ 4.9[N] |
| 搭載精度 | ±0.5[μm]（3σ） |
| 搭載ヘッド | セラミックヒータ RT ~ 450[℃] |
| 搭載ステージ | コンスタントヒータ RT ~ 250[℃] |
| 外形寸法（W×D×H） | 1,320×2,120×1,815[mm] |
| 重量 | 約4,900[kg] |
