ＪＰ/ＥＮ
高精度
フリップチップボンダ
- １．極低荷重対応、高精度ボンディング
- ２．低荷重域でのリアルタイム制御が可能
それにより、バンプ高さバラツキ最小化を実現 - ３．ツール交換で超音波接合にも対応
- ４．対応プロセス：ACF、ACP、NCF、NCP、Au-Sn(共晶),
Au-Au(超音波)、半田バンプ - ５．各種機能&オプション
- ＜標準機能＞
- ・チップ反転ユニット
- ・コンスタントヒートステージ
- ・ATC（自動セラミックツール交換））
- ・キャリブレーション
- ・プロセス管理（ロガー/別PCに書き出し）
- ・自動平坦機構
- ・ID読み込み
- ＜オプション機能＞
- ・共晶用ヘッド（加熱なし）
- ・共晶用パージ治具
- ・共晶用ステージ（□52mmパルスヒータ）
- ・転写機能（Flux、ペースト等）
- ・ディスペンサユニット（ディスペンサは除く）
- ・ダイボンダ機能
- ・チップ撮像カメラ
- ・ゲルパック
- ・超音波接合
| 基板サイズ（Ｗ×Ｌ） | ２００×２００［ｍｍ］panel or ８［inch］wafer |
|---|---|
| チップサイズ | ０．３×０．３ ～ ３０×３０［ｍｍ］ |
| 荷重設定範囲 | 低荷重域：０.０４９ ～ ４.９［Ｎ］ 高荷重域：４.９ ～ １０００［Ｎ］ |
| 搭載精度 | ±０．５［μｍ］（３σ） |
| 搭載ヘッド | セラミックヒータ ＲＴ ～ ４５０［℃］ |
| 搭載ステージ | コンスタントヒータ ＲＴ ～ ２５０［℃］ |
| 外形寸法（Ｗ×Ｄ×Ｈ） | １,３２０×２,１２０×１,８１５［ｍｍ］ |
| 重量 | 約４,９００［ｋｇ］ |
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Ｃｏｐｙｒｉｇｈｔ(Ｃ)２０２１ アスリートＦＡ株式会社 Ａｌｌ Ｒｉｇｈｔｓ Ｒｅｓｅｒｖｅｄ.