アスリートFA 株式会社

省力化機械や半導体組立装置など各種自動化設備のアスリートFA株式会社

会社案内

〒392-0012
長野県諏訪市四賀2970-1
TEL:0266-53-3369
FAX:0266-58-1755

 

事業内容

【FAエンジニアリング】
OA機器、半導体、電子部品、自動車、通信機器など各業界向け各種高精密実装・組立システムの開発・設計・製造・販売
省力化ユニット装置の設計・製作・販売

 

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太陽電池製造実験装置

LL室付RFマグネトロンスパッタ装置(研究開発用)

■仕様

対象部品
装置構成製膜室+ロードロック室
スパッタ方式上下スパッタ
スパッタ源φ3in×4(切替方式)
基板サイズMAX □65.5mm(2.5in)
到達真空度7.0×10E-5[Pa]以下
排気時間10minで4.0×10-4[Pa]
排気操作方式自動(全自動)・手動
スパッタ操作方式自動(全自動)・手動
排気系ターボ分子ポンプ
RF電源500[W]
基板加熱温度MAX 300[℃]

 

■特長

  1. スパッタ効率がよいRFマグネトロン方式
  2. 多層膜をAUTOで且つ常温~300℃で製膜可能
  3. ロードロック室付きなので、製膜室は常にクリーンを保てる
  4. ターゲットは磁性・非磁性のスパッタ可能(一部条件による)
  5. 操作パネルにより全体を瞬時に確認できる
  6. シンプル構造なので低価格設定、研究開発用途に最適

 

SPV-2000

SPV-2000

 

■ガス反応室を搭載したRFマグネトロンスパッタ装置。

スパッタ室と反応室が分かれており、製膜時は反応性ガスとの接触がないのでクリーンな環境を保つ事ができる。
基本操作は自動・手動で行う事ができる化合物系太陽電池製膜のために作られた実験機である。


信州大学電気電子工学科 
橋本・ミョー研究室との共同開発
http://hashi.shinshu-u.ac.jp/

 

■仕様

対象部品
装置構成スパッタ室+ガス反応室
到達真空度6.0×10E-5[Pa]以下
排気時間10minで4.0×10-4[Pa]
排気操作方式自動・手動
排気系ターボ分子ポンプ
基板加熱温度MAX 800[℃]
ガス加熱温度MAX 1000[℃]
蒸気化温度MAX 400[℃]
ニードルバルブ操作方式自動・手動
ニードル加熱温度MAX 200[℃]

 

■特長

  1. ガス供給部は1000℃まで加熱可能。
  2. 仕様により他元素もガス反応可能

 

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